Descripción
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 50V, 200mA, 3.5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level, Pb−Free. PPAP capable suitable for automotive applications.
Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.5 V-1.5 V)
Miniature Surface Mount Package
Easy to drive it with low voltages
It saves board space
Applications
Low power switch
Digital switch
Any low current automotive application
End Products
Infotainment (Entertainment, multimedia and navigation systems, etc.)
Body Control Modules (BCM, fob keys, gateways, LF systems, HVAC, etc.)
Security systems
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 200 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 50 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 10 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.85V |
| Disipación de Potencia Máxima | 225 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Longitud | 3.04mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 1.4mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 1.01mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
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