Anterior
MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

El precio original era: 106,50 €.El precio actual es: 42,60 €.
Siguiente

LED Broadcom, Azul, 470 nm, Vf= 3,2 V, 15°, mont. pasante, encapsulado 5 mm (T-1 3/4) | HLMP-CB1B-XY0DD

El precio original era: 8,94 €.El precio actual es: 4,47 €.
LED Broadcom, Azul, 470 nm, Vf= 3,2 V, 15°, mont. pasante, encapsulado 5 mm (T-1 3/4) | HLMP-CB1B-XY0DD
MOSFET onsemi FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 , SOT-23 de 6 pines,, config. Simple

MOSFET onsemi FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 6 pines,, config. Simple

El precio original era: 27,80 €.El precio actual es: 13,90 €.

MOSFET onsemi FDC658AP, VDSS 30 V, ID 4 A, SOT-23 de 6 pines,, config. Simple

El precio original era: 27,80 €.El precio actual es: 13,90 €.

Semiconductores Discretos FDC658AP de 4 A con 30 V. ✓ Corriente de fuga inferior a 0.5µA. ✓ Certificación AEC-Q200 automotriz. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G.

SKU: esrs-52105 Categorías: , , Marca:

Descripción

MOSFET de canal P PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.
Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al usar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V
Tipo de Encapsulado SOT-23
Serie PowerTrench
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 75 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima 1V
Disipación de Potencia Máxima 1,6 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip 1
Material del transistor Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 3mm
Ancho 1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 6 nC a 5 V
Altura 1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Información adicional

Marca

onsemi

Ref. fabricante

FDC658AP

Presentación

1 paquete de 250 unidades

Valoraciones

No hay valoraciones aún.

Solo los usuarios registrados que hayan comprado este producto pueden hacer una valoración.

Productos vistos recientemente

Carrito de la compra

0
image/svg+xml

No products in the cart.

Seguir comprando