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Módulo de relé de estado sólido Finder Series 39, control 19,2 → 26,4 V, carga 1,5 → 24V dc / 2 A, para | 39.70.7.024.9024

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Convertidor dc-dc 6W, Salida ±12V dc, ±250mA, 0.002 | NCM6D0512EC Murata Power Solutions
MOSFET onsemi FDMS2572, VDSS 150 V, ID 27 , PQFN8 de 8 pines,, config. Simple

MOSFET onsemi FDMS2572, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN8 de 8 pines,, config. Simple

El precio original era: 50,40 €.El precio actual es: 22,68 €.

MOSFET onsemi FDMS2572, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN8 de 8 pines,, config. Simple

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Semiconductores Discretos FDMS2572 de 27 A con 150 V. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Libre de halógenos.

SKU: esrs-52924 Categorías: , , Marca:

Descripción

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para sostener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 27 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V
Serie UltraFET
Tipo de Encapsulado PQFN8
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 103 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 78 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 31 nC a 0 → 10 V
Número de Elementos por Chip 1
Material del transistor Si
Ancho 6mm
Altura 0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C

Información adicional

Marca

onsemi

Ref. fabricante

FDMS2572

Presentación

1 bobina de 150000 unidades

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