Descripción
El 30V de on Semiconductor de MOSFET de potencia utiliza 464 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene una excelente conducción térmica y mejora la eficiencia del sistema.
Encapsulado Advanced (5x6mm)
RDS(on) ultrabaja para optimizar la eficiencia del sistema
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 464 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | DFN |
| Serie | NTMFS0D5N |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 5 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.00052 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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