Descripción
Conmutación de alta velocidad
Nivel ESD(HBM) 2 kV
Resistencia de conexión de drenador-fuente baja
RDS(ON) = 1,05 Ω (típ.) (a VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (típ.) (a VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (típ.) (a VGS = 4,5 V)
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 400 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,75 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.1V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1 W |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Ancho | 1.3mm |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 0,39 nC a 4,5 V |
| Longitud | 2.9mm |
| Altura | 0.9mm |
| Tensión de diodo directa | 1.1V |
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