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Condensador electrolítico Nichicon serie VZ, 100μF, ±20%, 16V dc, Radial, Orificio pasante, 5 (Dia.) x 11mm, paso 2mm |...

Condensador electrolítico Nichicon serie VZ, 100μF, ±20%, 16V dc, Radial, Orificio pasante, 5 (Dia.) x 11mm, paso 2mm | UVZ1C101MDD

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El precio original era: 12,80 €.El precio actual es: 6,40 €.
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MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 , DFN de 5 pines, , config. Simple

MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

El precio original era: 6,04 €.El precio actual es: 3,02 €.

MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

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Semiconductores Discretos de 8 A con 600 V. ✓ Libre de halógenos. ✓ Conforme RoHS y REACH. ✓ Capacitancia estable en frecuencia.

SKU: esrs-48328 Categorías: , , Marca:

Descripción

Reguladores de tensión de conmutación
Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)
Conmutación de puerta de control sencilla
Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 30,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
Tipo de Encapsulado DFN
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 109 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima 3V
Disipación de Potencia Máxima 240 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V
Ancho 8mm
Longitud 8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs 105 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Número de Elementos por Chip 1
Tensión de diodo directa 1.7V
Altura 0.85mm

Información adicional

Marca

Toshiba

Ref. fabricante

TK31V60W5

Presentación

1 paquete de 2 unidades

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