Descripción
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 400 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 35 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 43 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.8mm |
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