Descripción
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 1,4 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.000 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 11 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 54 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.7mm |
| Longitud | 10.41mm |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.01mm |
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