MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple - Teknoycondensa
SKU: esrs-46015
Price: 4.50 EUR
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Semiconductores Discretos Vishay SQ2315ES de 3 A con 12 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0.01Ω. ✓ Bajo coeficiente de temperatura NP0/C0G. ✓ Tensión de ruptura garantizada.

SKU: esrs-46015 Categorías: Industria y Ciencia, MOSFET, Semiconductores Discretos Marca: Vishay

Descripción

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	SQ Rugged
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	92 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.45V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	3.04mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	1.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,4 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm