Descripción
El transistor de potencia bipolar NPN Darlington de 8 A, 100 V está diseñado para aplicaciones de amplificador de uso general y conmutación de baja velocidad. 2N6040, 2N6042 (PNP) y 2N6043, 2N6045 (NPN) son dispositivos complementarios.
Ganancia de corriente CC alta -hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Tensión de sostenimiento de Collector-Emisor – @ 100 mAdc -VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) – 2N6040, 2N6043VCEO(sus)= 80 Vdc (Min) – 2N6041, 2N6044VCEO(sus)= 100 Vdc (Min) – 2N6042, 2N6045
Voltaje de saturación del colector bajo -VCE(sat) = 2.0 Vdc (máx.) @ IC = 4.0 Adc – 2N6040,41, 2N6043,44VCE(sat)= 2.0 Vdc (máx.) @ IC = 3.0 Adc – 2N6042, 2N6045
Construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor de base integradas
Encapsulados sin plomo disponibles
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 8 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 60 V dc |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 60 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Valoraciones
No hay valoraciones aún.