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Transistor, BC847BPDW1T2G, NPN/PNP 200 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz onsemi

Transistor, BC847BPDW1T2G, NPN/PNP 200 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz

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Transistor, BC848CPDW1T1G, NPN/PNP 200 mA 30 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz

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Transistor, BC848CPDW1T1G, NPN/PNP 200 mA 30 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz onsemi
Transistor, BC807-25LT1G, PNP -500 mA -45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple onsemi

Transistor, BC807-25LT1G, PNP -500 mA -45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

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Transistor, BC807-25LT1G, PNP -500 mA -45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

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Transistor BC807 de 500 mA con 45 V. ✓ Tensión de ruptura garantizada. ✓ Capacitancia estable en frecuencia. ✓ Corriente de fuga inferior a 0.

Descripción

The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Pb-Free Packages are Available
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
Applications
ESD Protection
Polarity Reversal Protection
Data Line Protection
Inductive Load Protection
Steering Logic

Atributo Valor
Tipo de Transistor PNP
Corriente DC Máxima del Colector -500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor -45 V
Tipo de Encapsulado SOT-23
Tipo de Montaje Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima 300 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC 160
Configuración de transistor Simple
Tensión Base Máxima del Colector -50 V
Tensión Máxima Emisor-Base -5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento 100 MHz
Conteo de Pines 3
Número de Elementos por Chip 1
Dimensiones 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C

Información adicional

Marca

onsemi

Ref. fabricante

BC807-25LT1G

Presentación

1 bobina de 3000 unidades

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