Descripción
El transistor de potencia bipolar PNP de 3 A y 100 V diseñado para uso general en aplicaciones de amplificador y conmutación. BD241C (NPN), BD242B (PNP) y BD242C (PNP) son dispositivos complementarios.
Tensión de saturación del emisor del colector -VCE = 1,2 V CC (máx.) @ IC = 3,0 cc
Tensión de sostenimiento de emisor de colimador -VCEO(sus) = 80 Vdc (mín.) BD242B= 100 Vdc (mín.) BD241C, BD242C.
Ganancia de corriente alta: Ancho de banda ProductfT = 3,0 MHz (mín.) @ IC = 500 mAdc
Paquete compacto TO-220 AB
Encapsulados sin plomo disponibles
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | -3 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | -90 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 40 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 25 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Dimensiones | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
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