Descripción
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.
DC Current Gain – hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
Collector-Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
Excellent Safe Operating Area
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | PNP |
| Corriente DC Máxima del Colector | -15 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | -70 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-204AA |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 115 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 20 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 100 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 7 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +200 °C |
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