Descripción
Transistores de potencia NPN, ON Semiconductor
Estándares
Los números de referencia del fabricante con prefijo NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101.The PNP Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. The MJB44H11 (NPN) and MJB45H11 (PNP) are complementary devices.
Low Collector-Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
Fast Switching Speeds
Complementary Pairs Simplifies Designs
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 20 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 80 V dc |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 60 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 + Tab |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 10.29 x 9.65 x 4.83mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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