Descripción
STMicroelectronics IGBT serie 650 V HB2 representa una evolución de la Advanced estructura de parada de campo de puerta Trench propia. El rendimiento de la serie HB2 está optimizado en términos de conducción, gracias a un mejor comportamiento VCE(sat) con valores de corriente bajos, así como en términos de energía de conmutación reducida.
Temperatura máxima de conexión: TJ = 175 °C.
VCE(sat) bajo = 1,65 V (típ.) @ IC = 30 A.
Diodo coencapsulado de recuperación muy rápida y suave
Corriente de cola minimizada
Distribución de parámetros ajustada
Resistencia térmica baja
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Número de transistores | 1 |
| Disipación de Potencia Máxima | 167 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Conteo de Pines | 3 |
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