Descripción
Memoria Flash serie de 8 Mbits, 3,0 V con sectores de 4 KB uniformes y SPI doble/cuádruple
Interfaz de periféricos serie doble/cuádruple
Sectores borrables de 4 KB uniformes y bloques borrables de 32 KB/64 KB
4.096 páginas (256 bytes), programa de páginas en 0,8 mS (típ.)
Instrucciones de lectura rápida simples/dobles/cuádruples
Envoltura de 8/16/32/64 bytes alrededor para instrucciones de E/S dobles/cuádruples de lectura rápida
Funcionamiento de reloj hasta 104 MHz (equivalente a 416 MHz con lectura de E/S cuádruple)
Fuente de alimentación de 2,7 a 3,6 V
Corriente de desconexión de 1 μA
Rango de funcionamiento de -40° a +85 °C
Suspensión/reanudación de borrado/programación, bit de estado suspendido
Identificador único programado en fábrica
ID electrónico con E/S doble/cuádruple, protección contra escritura de hardware y software para bloques superiores o inferiores
Bit de protección de matriz de complemento
3 registros de seguridad de 256 bytes con bloqueos de OTP
Protección bloqueable y OTP
Bits de registro de estado volátil y no volátil
Parámetros detectables de Flash serie (SFDP)
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 8Mbit |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Organización | 1M x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Célula | NI |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Organización de Bloques | Simétrico |
| Longitud | 5.38mm |
| Altura | 1.91mm |
| Ancho | 5.38mm |
| Dimensiones | 5.38 x 5.38 x 1.91mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Número de Palabras | 1M |
| Serie | W25Q |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 6ns |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
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