Descripción
Memoria Flash serie de 4 Mbits, 2,5 V con sectores de 4 KB uniformes y SPI doble
Interfaz de periféricos serie simple y doble
Sectores borrables de 4 KB uniformes y bloques borrables de 32 KB/64 KB
2.048 páginas (256 bytes), programa de páginas en 0,4 mS (típ.)
Lectura rápida (0 Bh), salida doble de lectura rápida (3 Bh) e instrucciones de E/S doble de lectura rápida (BBh)
Funcionamiento de reloj hasta 104 MHz (equivalente a 208 MHz con salida doble de lectura rápida)
Fuente de alimentación de 2,3 a 3,6 V
Corriente de lectura activa de 1 mA, corriente de desconexión de 1 μA
Rango de funcionamiento de -40° a +85 °C
ID electrónico en modo de E/S simple o doble
Instrucción de identificador único de lectura (4 Bh)
Protección contra escritura de hardware y software para bloques superiores o inferiores
Bits de registro de estado volátil y no volátil
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 4Mbit |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Organización | 512K x 8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Célula | NI |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,3 V |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Organización de Bloques | Simétrico |
| Longitud | 5mm |
| Altura | 1.5mm |
| Ancho | 4mm |
| Dimensiones | 5 x 4 x 1.5mm |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 8ns |
| Serie | W25X |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Número de Palabras | 512K |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
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