Descripción
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite la implementación simplificada y rentable de la máxima eficiencia del sistema. El MOSFET en encapsulado de TO247 4 contactos reduce los efectos de inductancia de fuente parásita en el circuito de puerta, lo que permite una conmutación más rápida y mayor eficiencia.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con un controlador estándar
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 59 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Serie | CoolSiC |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,034 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.7V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Silicio |
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