Descripción
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS de 40 V en un encapsulado de puerta central de fuente descendente PQFN de 3,3 x 3,3. Este MOSFET de potencia mejor de su clase desafía el statu quo en densidad de potencia y factor de forma en la aplicación final. Un objetivo en el diseño de herramientas eléctricas es minimizar las restricciones internas de los requisitos de área de PCB, lo que permite un diseño ergonómico y optimiza la experiencia del usuario final. El movimiento simultáneo del inversor del mango al cabezal minimiza el volumen de la carcasa del motor de la herramienta eléctrica al tiempo que mantiene el par de la herramienta a un nivel razonablemente alto para una acción rápida y sencilla.
Capacidad de corriente alta
Uso más eficiente del área de PBC
La densidad de potencia y el rendimiento más altos
Huella optimizada para paralelización de MOSFET con puerta central
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 205 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TTFN |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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