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MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET Toshiba TJ8S06M3L, VDSS 60 V, ID 8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

El precio original era: 1.320,00 €.El precio actual es: 198,00 €.

Semiconductores Discretos de 8 A con 60 V. ✓ ESR ultra bajo inferior a 0. ✓ Corriente de fuga inferior a 0. ✓ Libre de halógenos.

SKU: esrs-47825 Categorías: , , Marca:

Descripción

Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Convertidores dc-dc
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 80 mΩ (típ) (VGS = -10 V)
Baja corriente de fugas: IDSS = -10 μA (máx.) (VDS = -60 V)
Modo de mejora: Vth = -2,0 a -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Atributo Valor
Tipo de Canal P
Corriente Máxima Continua de Drenaje 8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 60 V
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 130 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima 3V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Disipación de Potencia Máxima 27 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +10 V
Número de Elementos por Chip 1
Carga Típica de Puerta @ Vgs 19 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Ancho 7mm
Longitud 6.5mm
Estándar de automoción AEC-Q101
Tensión de diodo directa 1.2V
Altura 2.3mm

Información adicional

Marca

Toshiba

Ref. fabricante

TJ8S06M3L

Presentación

1 bobina de 2000 unidades

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