Descripción
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP Capable
These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 500 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 45 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Disipación de Potencia Máxima | 300 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 100 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 50 V dc |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Dimensiones | 3.04 x 1.3 x 1.01mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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